晶振原廠商跟大家說說晶振原要如何進(jìn)行選擇？如何防止晶振不良的發(fā)生？

晶振原廠商說，選擇晶振原時(shí)，應(yīng)考慮功耗。分立晶振原的功耗主要取決于反饋放大器的電源電流和電路中的電容值。CMOS放大器的功耗與工作頻率成正比，可以用功耗電容的值來表示。比如HC04逆變門的功耗電容是90pF。在4MHz、5V的電源下，電源電流等于1.8ma.帶20pF晶體負(fù)載電容，總電源電流為2.2ma.陶瓷諧振器電路通常具有較大的負(fù)載電容，需要更大的電流。相反，晶振模塊通常需要10ma和60ma的電源電流。根據(jù)其類型和功能，硅晶振原的電源電流范圍從低頻(固定)器件的幾微安到可編程器件的幾毫安。低功耗硅晶振原，如MAX7375，工作在4MHz，電流小于2mA。針對特定應(yīng)用優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下因素：精度、成本、功耗和環(huán)境要求?；菰m

如何防止晶振不良的發(fā)生？晶振原廠商說，要對晶振組件進(jìn)行檢漏測試，檢查其密封性，如下：

1.密封工藝是將調(diào)諧諧振器與外殼封裝在一起，以穩(wěn)定石英諧振器的電性能。在此過程中，進(jìn)料倉、壓力密封倉和卸料倉應(yīng)保持清潔。壓力箱應(yīng)持續(xù)沖洗。在壓封過程中，要注意焊頭的磨損、模具位置、電壓、氣壓、流量。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)是：無傷痕、毛刺、凹坑、彎腿、對稱烙印、無歪斜。

2.由于應(yīng)時(shí)晶體是一個(gè)無源元件，它可以在IC提供的適當(dāng)激勵(lì)功率下正常工作。因此，當(dāng)激勵(lì)功率過低時(shí)，應(yīng)時(shí)晶體不容易開始振動(dòng)，如果過高，就會(huì)變得過度。應(yīng)時(shí)芯片損壞，導(dǎo)致振動(dòng)停止。因此，應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率。另外，有源功率負(fù)載會(huì)消耗一定的功率，從而降低晶體的Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降。容易受到周圍活動(dòng)部件的影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生振動(dòng)。因此，在增加有功功率負(fù)荷時(shí)，應(yīng)匹配更合適的有功功率負(fù)荷。

3.控制切割和焊接過程，以確保底座的絕緣性能和引腳的質(zhì)量。銷鍍層光亮均勻，表面無麻點(diǎn)、變形、裂紋、變色、劃痕、污跡和鍍層剝落。為了更好的防止單漏，可以在晶體下面放一個(gè)絕緣墊片。

4.當(dāng)晶體產(chǎn)生頻率漂移，超過頻差范圍時(shí)，檢查是否匹配合適的負(fù)載電容，可以通過調(diào)整晶體的負(fù)載電容來解決。